7月25日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的测试结构及测试方法”的专利，授权公告号CN121865901B，授权公告日为2026年7月24日。申请公布号为CN121865901A，申请号为CN202610330738.7，申请公布日期为2026年7月24日，申请日期为2026年3月18日，发明人尚正阳、王维安、程洋，专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司，专利代理师张云鹏，分类号H10P74/00、H10P74/20。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件的测试结构及测试方法，涉及半导体技术领域。本申请在半导体器件的划片槽构建了用于测试半导体结构中目标通孔的通孔测试结构，在通孔测试结构中，待测通孔与目标通孔采用相同的工艺形成，使待测通孔能反映目标通孔的工艺参数。在通孔测试结构中，本申请利用目标通孔在贯穿介质层时会相对介质层露出的这一特性，针对待测通孔相对于介质层露出的一端的两侧构建两个电容件，从而可以通过测量电容件与待测通孔的电容值反映待测通孔与电容件的距离，以定量确定待测通孔的偏移情况。此外，通孔测试结构可以形成层级结构，以测量半导体器件中不同层级之间通孔的偏移情况。
晶合集成是国内领先的专注于显示驱动芯片领域的12英寸晶圆代工头部企业，具备全产业链配套优势。公司成立于2015年5月19日，于2023年5月5日登陆上海证券交易所，注册地为安徽省合肥市，办公地覆盖安徽省合肥市与香港特别行政区。
晶合集成核心从事12英寸晶圆代工业务，聚焦先进工艺的研发与落地，可向客户提供覆盖多制程节点、多工艺平台的晶圆代工服务。公司申万行业分类为电子-半导体-集成电路制造，同时布局MCU概念、集成电路、半导体产业相关热门赛道。
2025年，晶合集成实现营业收入108.85亿元，在所属7家同赛道企业中位列第4，该赛道同期营收第一名中芯国际为673.23亿元、第二名华虹宏力为172.91亿元，行业平均营收166.12亿元，公司营收与行业中位数持平。营收结构方面，集成电路晶圆制造代工贡献103.57亿元，占比95.14%，其他补充业务收入4.97亿元占比4.57%，剩余其他业务收入3176.68万元占比0.29%。同期公司实现净利润4.66亿元，同样在7家同赛道企业中排名第4，赛道内净利润第一名中芯国际为72.09亿元、第二名赛微电子为13.88亿元，行业平均净利润9.67亿元，公司净利润与行业中位数持平。
指标类型
晶合集成当期数值
行业排名/总家数
行业头部企业数值
行业平均数
行业中位数
营业收入
108.85亿元
中芯国际673.23亿元、华虹宏力172.91亿元
166.12亿元
108.85亿元
净利润
元股证券:ygzq.hk4.66亿元
优配网入口中芯国际72.09亿元、赛微电子13.88亿元
9.67亿元
4.66亿元
核心业务营收
103.57亿元（占比95.14%）
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合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞2晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲3光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康4半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明5一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰6一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳7半导体器件及其制备方法、芯片发明专利公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃8一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛9一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成10一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙11半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕12半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰13文本识别方法、系统及存储介质发明专利公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞14一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿15一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康16晶圆的量测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智17一种半导体结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮18半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥19用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩20缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕21一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波22半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪23干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强24MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然25半导体结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧26晶圆清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平27半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪28栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先29一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610729686.02026-05-26CN122341196A2026-07-03李文超、杨智强、林子荏、张旭30半导体器件的外延层结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕31安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小32图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛33接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕34半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕35半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞36一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩37集成功率器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全38一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平39检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬40一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳41LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品发明专利授权CN202610667846.32026-05-15CN122205903B2026-07-24陈晓妍、王梦慧42一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏43半导体版图结构及双栅氧化层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强44一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏45芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬46半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春47一种半导体器件的测试方法及测试装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲48光阻层的形成方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明49半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚50半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露股票跌停
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